序号

专利名称

专利简介

标的类别（转让/许可/作价投资）

标的分类

行业类别

20230001

一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法

本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO2薄膜的方法，用以提高VO2薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al2O3缓冲层，最后采用反应磁控溅射法以制备有Al2O3缓冲层的Si基底为衬底，溅射制备VO2薄膜。本发明工艺简单，易于实现；制备的Si基VO2薄膜具有极强的择优取向，成膜质量高，也更接近于金红石型VO2；通过Al2O3缓冲层的引入，减小了相变弛豫时间，也极大地提高了电阻变化率，本发明引入的Al2O3缓冲层厚度仅为25nm，并不会造成Si基VO2薄膜在作为电致开关或者电致存储器件时其阈值电压过大；本发明对推进VO2薄膜在半导体器件中的应用具有重大意义。

专利权(转移转化方式不限）

发明

C-化学；冶金

20230002

一种氧化钒热敏薄膜噪声测试方法

本发明公开了一种氧化钒薄膜低频微弱噪声测试方法，该方法包括：电源电路适配设计；在测试电路中采用可选择的电流或电压放大电路设计，这个设计区别于的单一地进行电流或者单一的电压放大，本设计可以对两种放大方式进行选择以及彼此之间的对比；测试时高速采集并对噪声进行时域和频域、功率密度谱、氧化钒噪声曲线拟合以及曲线参数提取、样品优劣判断等分析；在测试环境中针对电磁和气流扰动进行了氧化钒样品的屏蔽、测试电路的屏蔽和包括采集卡以及工控机在内的屏蔽的三层屏蔽室的设计，三层屏蔽均是使用金属结构屏蔽，可以屏蔽电磁和气流的扰动。该发明的方法可实现氧化钒热敏薄膜低频噪声的可重复精确测试。

专利权(转移转化方式不限）

发明

G-物理

20230003

一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法

本发明涉及探测器和电子薄膜技术领域，具体涉及一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法。本发明以银为掺杂元素制备，元素摩尔百分比含量为银3?10％，钒30?40％，氧50?67％；其TCR为4.2?5.5％/K，电阻温度特性呈现出无相变特征，电阻率0.1?1.1Ω·cm，方阻稳定性在72h后变化率小于10％。先通过溅射工艺分两步沉积银/氧化钒复合薄膜，再通过富氧气氛高温退火得到掺银氧化钒热敏薄膜材料。本发明所制备的掺银氧化钒热敏薄膜材料电阻温度系数高，具有无相变特征，避免了热滞噪声问题，可提高非制冷焦平面器件的灵敏度；且电阻率小，器件可在低偏置条件下工作；其工艺与MEMS工艺兼容性好，适于基于氧化钒热敏薄膜器件的大批量制造。

专利权(转移转化方式不限）

发明

C-化学；冶金

20230004

一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法

一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法，本发明的高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料是以稀土元素钇作为掺杂剂制备，包括基片层和掺钇氧化钒薄膜层，掺钇氧化钒薄膜层包括钒、氧、钇三种元素，钇的原子百分比为1％?8％，钒的原子百分比为20?40％，其余为氧元素。本发明的制备方法是采用低浓度钇钒合金靶反应溅射或采用高浓度钇钒合金靶和纯金属钒靶双靶共反应溅射的方法制备氧化钒热敏薄膜材料。本发明制备的产品电阻温度系数高、噪声系数小，可提高非制冷焦平面阵列器件的灵敏度；且其方阻稳定性高，可与器件微机电系统工艺兼容；此外产品中掺钇氧化钒薄膜为非晶结构，其电阻温度特性无相变特征，可以避免热滞噪声问题。

专利权(转移转化方式不限）

发明

C-化学；冶金

20230005

一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法

本发明公开了一种制备掺钨氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：首先将清洗后的基片放入高真空腔室中；其次将高纯氩气通入真空腔室，在基片用基片挡板遮住的情况下通过开启钒靶溅射电源和钨靶溅射电源分别对金属钒靶和金属钨靶表面进行预溅射清洗，将高纯氧气通入真空腔室中，打开基片挡板，关闭钨靶挡板，开启钒靶溅射电源，沉积底层氧化钒薄膜；待底层氧化钒薄膜沉积完毕后，关闭氧气，关闭钒靶溅射电源和钒靶挡板，开启钨靶溅射电源和钨靶挡板，沉积中间层金属钨薄膜；待金属钨薄膜沉积完毕后，关闭钨靶溅射电源和钨靶挡板，再次通入氧气，开启钒靶溅射电源和钒靶挡板，沉积上层氧化钒薄膜；最后对沉积得到的复合薄膜进行原位退火处理。

专利权(转移转化方式不限）

发明

C-化学；冶金

20230006

电调谐二氧化钒相变中红外调制器及中红外其他线通讯系统

本发明属于光电子技术领域，公开了一种电调谐二氧化钒相变中红外调制器及中红外其他线通讯系统，为多层膜结构，以二氧化钒作为电控相变材料；多层膜结构中最下层为铜层，最上层为金插指电极和接受天线，二氧化钒层在中红外调制器的中部，二氧化钒层与铜层之间为二氧化硅层。本发明在2.4伏特激励电压下，实现了对25.5THz中红外光反射率的调制，调制深度为30％；同时实现了对共振频率的调制，调制范围为3.5％。本发明的中红外调制器为层状结构，基于工艺成熟的氧化钒材料，制作简单、成本低，在较低的工作电压下即实现了对中红外光的调制，对于推进其实用化具有重要意义。

专利权(转移转化方式不限）

发明

G-物理

20230007

一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法

本发明涉及一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于氧化钒薄膜制备技术。包括①玻璃和覆盖氧化硅层的硅片表面清洗；②采用脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜：预抽真空度＜1×10-4Pa，氩氧气氛中氩气与氧气的流量比为100:2.5～3.5，在脉冲直流电源脉冲频率为100～350KHz、占空比为100%～55%、溅射功率为150～250W条件下，溅射15～30分钟溅射成膜。本发明的优点在于溅射过程中不需要对氧气流量精确控制，只需调节脉冲直流电源占空比就可以制备出高金属含量到高氧含量的氧化钒薄膜，工艺可控性好，且可重复性好。本方法制备的氧化钒薄膜可以作为目前非制冷红外热成像器件等应用要求的理想热敏感材料。

专利权(转移转化方式不限）

发明

C-化学；冶金

20230008

一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法

本发明公开了一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法，涉及电子材料领域，所述方法采用磁控溅射技术，以金属钒为靶材，以Al2O3为基底，在有氧环境下分两次溅射，第一次溅射氧浓度低于第二次溅射，两次溅射分别前后得到低价钒种子层和氧化钒薄膜，最后通过退火即得到采用低价钒种子层优化的氧化钒薄膜。本发明所制备的具有低价钒种子层的氧化钒薄膜具有大的相变幅度，小的回线宽度，更接近室温的相变温度，进而提高热致开关调制类器件的灵敏度、稳定性、可靠性以及应用前景；另外，利用本发明制备相变氧化钒薄膜所需的退火温度可以显著降低，与MEMS工艺兼容性更好，可以适用于大批量生产。

专利权(转移转化方式不限）

发明

C-化学；冶金

20230009

一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法

一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法，可用于非制冷红外探测器和电子薄膜技术领域。其中，二氧化钒热敏薄膜材料以钛和钌作为掺杂剂制备，包括基片层和钛钌共掺二氧化钒薄膜层；钛钌共掺二氧化钒薄膜层中，钛、钌和钒的原子百分比分别为4.0?7.0％、0.5?1.5％、25.0?30.0％，其余为氧元素。本发明还提供以钛钌钒合金靶为源材料采用反应溅射方法，或以钛靶、钌靶和钒靶为溅射源采用共反应溅射方法制备二氧化钒热敏薄膜材料的方法。本发明制得的二氧化钒薄膜为单斜多晶结构，呈现其他相变特征，具有较低室温电阻率，并具有比未掺杂二氧化钒和常用VO<Sub>X</Sub>热敏薄膜更高的电阻温度系数；其制备工艺易于通过现有溅射设备或对现有设备适当改进后实现，且与器件MEMS工艺兼容。

专利权(转移转化方式不限）

发明

C-化学；冶金

20230010

一种快干环保石膏砖

本实用新型公开了一种快干环保石膏砖，它包括侧装板和内嵌板，所述侧装板与内嵌板交错连接成一整体，形成安装凸台和安装凹槽；所述内嵌板与侧装板的连接重叠处还设有若干隔音通孔；所述侧装板包括侧装板一和侧装板二；侧装板一和侧装板二之间是内嵌板；所述侧装板一与侧装板二平行设置；所述侧装板一与侧装板二尺寸相同，且它们与内嵌板的连接相对位置相同；该快干环保石膏砖，通过对现有快干环保石膏砖的结构进行合理改造，使得快干环保石膏砖的组装和使用强度大大提高的同时还具有生产效率高，使用寿命长的特点，解决现有快干环保石膏砖的制作效率低，安装强度不够的问题

专利权(转移转化方式不限）

实用新型

E-固定建筑物

20230011

一种免抹砂灰的免烧砌块及其制备方法

本发明涉及一种免抹砂灰的免烧砌块及其制备方法。所述免烧砌块包括以下组分：水泥10～15％、轻烧镁粉0.35～0.7％、氯化镁0.35～0.7％、减水剂0.1～0.3％、珍珠岩1～2％、工业废渣70～85％；所述工业废渣的粒径为50～80目。本发明的有益效果为：本发明改变了传统制作生产工艺，是生产出来的免烧砌块，表面光洁，在施工安装过程中不需要再对免烧砌块进行两面抹砂灰的处理，可以直接进行装饰。

专利权(转移转化方式不限）

实用新型

C-化学；冶金

20230012

钒电池用复合膜及其连续化生产的方法和用途

本发明提供一种基于融合负载整合的PUC算法缓解小区负载拥塞的方法，该方法包括以下步骤：(1)当本小区资源拥塞率达到B，且有新用户接入时，先通过PUC算法对小区空闲部分的码道资源进行评估，若空闲码道资源低于A，则进行步骤(2)，否则进行步骤(3)；(2)接入邻小区并开启邻小区的LDR算法，进行码道资源整合，将新接入的用户分配接入到邻小区；(3)判断是否触发4A或4B事件，若是，则按照4A和4B事件的统计情况调速接入邻小区并开启邻小区LDR算法，否则返回步骤(1)。本发明使得PUC算法的本质“预判缓解本小区拥塞”的能效更大程度的发挥，进而大大缓解小区负载拥塞的情况。

专利权(转移转化方式不限）

发明

H-电学

20231001

宏图阳光

第19类:塑料墙板；非金属制预制墙；非金属护墙板；非金属墙砖；建筑用混凝土墙；木护墙板；建筑用木材；幕墙用石板；非金属安全门；非金属建筑物（截止）

 第35类:会计；寻找赞助；开商业发票服务（截止）

商标权(转移转化方式不限）

商标

19类、35类